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RCJ510N25TL  与  IPB600N25N3 G  区别

型号 RCJ510N25TL IPB600N25N3 G
唯样编号 A3-RCJ510N25TL A-IPB600N25N3 G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 48mΩ 51mΩ
上升时间 300ns 10ns
Qg-栅极电荷 120nC 29nC
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 24S
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id 51A 25A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
配置 Single Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 210ns 8ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2350pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 90µA
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 250V 250V
Pd-功率耗散(Max) 1.56W 136W
典型关闭延迟时间 170ns 22ns
FET类型 - N-Channel
系列 RCJ510N25 OptiMOS3
通道数量 1Channel 1Channel
典型接通延迟时间 65ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
库存与单价
库存 110 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RCJ510N25TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

51A 1.56W 48mΩ 250V 3V TO-263-3

暂无价格 110 当前型号
IPB600N25N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB600N25N3GATMA1_-55°C~175°C(TJ) 250V 25A 51mΩ 20V 136W N-Channel

暂无价格 0 对比

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